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E-Beam電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)304不銹鋼圓柱形腔體，標(biāo)準(zhǔn)直徑有18英寸和24英寸，分子泵或冷凝泵；手動(dòng)傳片或自動(dòng)傳片,適合各種形狀尺寸的小片到200mm大的圓片，高真空背景傳遞；PLC自動(dòng)控制界面，菜單控制，數(shù)據(jù)獲取和遠(yuǎn)程控制，QCM膜厚監(jiān)控，光學(xué)膜厚監(jiān)控。

金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積鍍膜設(shè)備 反應(yīng)器的設(shè)計(jì)可以根據(jù)工藝的需要很容易提升到滿足大直徑晶片生產(chǎn)的需要。我們也能為客戶設(shè)計(jì)以滿足客戶特殊工藝和應(yīng)用的需要。系統(tǒng)部件包括：反應(yīng)器、氣體傳輸系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)和尾氣處理系統(tǒng).

超高真空多腔室物理氣相沉積鍍膜系統(tǒng) 該系統(tǒng)由專業(yè)的沉積設(shè)備商制造,配置多種沉積方式（預(yù)留各種功能接口）,高度靈活,非常適合多種沉積模式的科研.

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積鍍膜系統(tǒng) 通常選用射頻淋浴源（RF）或帶有不規(guī)則氣體分布的空心陰極射頻等離子體源作為反應(yīng)源產(chǎn)生等粒子體。 部分PECVD可以升級(jí)到PECVD & 反應(yīng)離子蝕刻雙功能系統(tǒng)（帶ICP源）

等離子體增強(qiáng)原子層沉積鍍膜系統(tǒng) 一個(gè)基本的原子層沉積循環(huán)包括四個(gè)步驟：脈沖A，清洗A，脈沖B和清洗B。沉積循環(huán)不斷重復(fù)直至獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結(jié)構(gòu)從而形成納米器件的工具。

脈沖激光分子束外延鍍膜系統(tǒng) 憑借著優(yōu)異的性能, PVD公司生產(chǎn)的脈沖激光沉積分子束外延系統(tǒng)在國內(nèi)外擁有較多用戶，為眾多老師開啟薄膜外延制備的新篇章。

脈沖激光沉積鍍膜系統(tǒng) 真空腔內(nèi)照射到成膜靶上，靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume狀等離子體狀態(tài)，然后被堆積到設(shè)在對面的基板上而成膜。PLD方法可以獲得擁有熱力學(xué)理論上準(zhǔn)穩(wěn)定狀態(tài)的組成和構(gòu)造的人工合成新材料。

反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備 為達(dá)到此目的，必須對真空度，氣體流量，離子加速電壓等進(jìn)行佳調(diào)整，同時(shí)，為得到高密度的等離子體，需用磁控管施加磁場，以提高加工能力。 我司提供多型號(hào)的RIE刻蝕系統(tǒng)，滿足國內(nèi)客戶研究和生產(chǎn)的需要。