無掩膜曝光機-光刻機

美國IMP（Intelligent Micro Patterning,LLC）公司憑借多年的光刻設(shè)備生產(chǎn)經(jīng)驗和多項無掩模曝光技術(shù)，已成為無掩模紫外光刻領(lǐng)域的。國內(nèi)參考用戶較多！

    產(chǎn)品優(yōu)點：
    微米和亞微米光刻,最小0.6微米光刻精度
     紫外光直寫曝光,無需掩模，大幅節(jié)約了掩模加工費用
    靈活性高，可直接通過電腦設(shè)計光刻圖形，并可根據(jù)設(shè)計要求隨意調(diào)整。
     可升級開放性系統(tǒng)設(shè)計。
     按照客戶要求可從低端到定制，自由配置
    使用維護簡單, 設(shè)備耗材價格低。
     應用范圍廣，目前廣泛應用于半導體、生物芯片、微機電系統(tǒng)、傳感器、微化學、光學等領(lǐng)域。

   SF-100 型
     可配置汞燈光源和LED光源,多種波長曝光（385nm, 405nm）

目鏡最小像素 1um
     1.25 micron with 4X reduction lens
     0.50 micron with 10X reduction lens
     0.25 micron with 20X reduction lens

無掩膜曝光機-光刻機

平臺參數(shù)
     全自動電腦控制位移
     高精度三維線性驅(qū)動樣品臺

X and Y 軸運動：
     移動范圍: 100--300mm
     準確性: +/-200 nm per axis
     重復性: +/- 50 nm per axis
   

Z 軸運動：
     移動范圍: 25 mm
     準確性: +/- 200 nm
     重復性: +/- 75 nm
   

Theta 轉(zhuǎn)動：
     轉(zhuǎn)動角度: 360 degrees
     準確性: +/-5 arc sec
     重復性: +/-2 arc sec

激光共聚焦對準功能