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球磨測(cè)厚儀可用于各行各業(yè)中各種塑料薄膜、橡膠、木材、紙板、金屬薄板等厚度的測(cè)量，主要用于金屬軋制行業(yè)各個(gè)領(lǐng)域?qū)ιa(chǎn)線上的產(chǎn)品，如鋼帶、銅帶、鋁帶、鋁箔等進(jìn)行動(dòng)態(tài)狀態(tài)下的厚度測(cè)量，可輸出厚度信號(hào)到系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)厚度的閉環(huán)調(diào)節(jié)，具有不接觸被測(cè)物體、連續(xù)、快速、準(zhǔn)確測(cè)量等優(yōu)點(diǎn)。儀器簡(jiǎn)單的球坑法是快速獲得所有涂層厚度的有效方法，適用單層和多層膜的涂層，利用X射線穿透被測(cè)材料時(shí)，X射線的強(qiáng)度的變化與材料的厚度相關(guān)的特性，從而測(cè)定材料的厚度，是一種非接觸式的動(dòng)態(tài)計(jì)量?jī)x器，它以PLC和工業(yè)計(jì)...

深能級(jí)瞬態(tài)譜儀通過(guò)監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體結(jié)在不同溫度下的脈沖產(chǎn)生的電容、電流或電荷瞬變，可產(chǎn)生每個(gè)深度級(jí)別的光譜，每個(gè)深能級(jí)都有一個(gè)峰值。峰的高度與陷阱密度成正比，其符號(hào)允許區(qū)分少數(shù)和多數(shù)陷阱，并且溫度軸上的峰的位置導(dǎo)致確定熱發(fā)射和俘獲（活化能和橫截面）的基本參數(shù)，該方法的應(yīng)用導(dǎo)致了新現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)，并為理解半導(dǎo)體器件的材料加工提供了*的工具。儀器是半導(dǎo)體領(lǐng)域研究和檢測(cè)半導(dǎo)體雜質(zhì)、缺陷深能級(jí)、界面態(tài)等的重要技術(shù)手段，測(cè)試根據(jù)半導(dǎo)體P-N結(jié)、金-半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容技術(shù)和深能級(jí)瞬態(tài)譜的...

皮可安培計(jì)測(cè)試需要把測(cè)試電壓或強(qiáng)制電壓施加到器件的輸入端，并測(cè)量導(dǎo)致的任何泄漏電流和偏移電流，這經(jīng)常是在1pA或更低的級(jí)別進(jìn)行的。低功耗測(cè)量電路與緩慢而昂貴的商品化自動(dòng)測(cè)試儀形成了鮮明對(duì)比，這種電路能強(qiáng)制很寬的測(cè)試電壓范圍并提供快速穩(wěn)定，使器件測(cè)試吞吐速度升高。表面貼裝元件的廣泛使用使它的印制電路板空間要求降低，并使多個(gè)測(cè)量電路的封裝能靠近測(cè)試夾具。該電路包含強(qiáng)制電壓緩沖器/放大器、浮動(dòng)軌電源、IVC（電流至電壓轉(zhuǎn)換器），向待測(cè)器件施加強(qiáng)制電壓會(huì)引發(fā)泄漏電流，電路把該泄漏電流...

開(kāi)爾文探針掃描提高了掃描透射電子顯微鏡的性能，更適合高級(jí)納米技術(shù)研究，其與標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)顯微鏡相比，分辨率提高了1.5倍，同時(shí)，探針電流提高了10倍。探針掃描廣泛地應(yīng)用于金屬材料(鋼鐵、冶金、有色、機(jī)械加工)和非金屬材料(化學(xué)、化工、石油、地質(zhì)礦物學(xué)、橡膠、紡織、水泥、玻璃纖維)等檢驗(yàn)和研究。在材料科學(xué)研究、金屬材料、陶瓷材料、半導(dǎo)體材料、化學(xué)材料等領(lǐng)域進(jìn)行材料的微觀形貌、組織、成分分析，各種材料的形貌組織觀察，材料斷口分析和失效分析，材料實(shí)時(shí)微區(qū)成分分析，元素定量、定性成分分析，...

脈沖激光沉積是將激光聚焦于靶材上一個(gè)較小的面積，利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離，使其能夠脫離靶材而向基底運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而在基底上沉積，從而形成薄膜的一種方式。在眾多的薄膜制備方法中，激光沉積技術(shù)的應(yīng)用較為廣泛，可用來(lái)制備金屬、半導(dǎo)體、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各種物質(zhì)薄膜，甚至還用來(lái)制備一些難以合成的材料膜，如金剛石、立方氮化物膜等。脈沖激光沉積系統(tǒng)配置：生長(zhǎng)室，進(jìn)樣室可選；水平、垂直兩種靶臺(tái)可選；激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺(tái)可選，激光加...

磁控濺射鍍膜機(jī)用高能粒子轟擊固體表面時(shí)能使固體表面的粒子獲得能量并逸出表面，沉積在基片上。電子在電場(chǎng)E的作用下，在飛向基片過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子借助于靶表面上形成的正交電磁場(chǎng)，被束縛在靶表面特定區(qū)域，增強(qiáng)電離效率，增加離子密度和能量，從而實(shí)現(xiàn)高速率濺射，是制備低維度，小尺寸納米材料...